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内存常见术语介绍
12-14 18:28:28 分类:电脑技巧 浏览次数: 754次
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内存常见术语介绍,
Async SRAM:为异步SRAM这是一种较为旧型的SRAM,通常被用于电脑上的 Level 2 Cache上,它在运作时独立于计算机的系统时脉外。
Sync SRAM:为同步SRAM,它的工作时脉与系统是同步的。
SGRAM (Synchronous Graphics RAM):是由SDRAM再改良而成以区块Block为单位,个别地取回或修改存取的资料,减少内存整体读写的次数增加绘图控制器。
高速缓存 (Cache Ram):为一种高速度的内存是被设计用来处理运作CPU。快取记忆体是利用 SRAM 的颗粒来做内存。因连接方式不同可分为一是外接方式(External)另一种为内接方式(Internal)。外接方式是将内存放在主机板上也称为Level 1 Cache而内接方式是将内存放在CPU中称为Level 2 Cache。
PCMCIA (Personal Computer Memory Card International Association):是一种标准的卡片型扩充接口,多半用于笔记型计算机上或是其它外围产品,其种类可以分为:
Type 1:3.3mm的厚度,常作成SRAM、Flash RAM 的记忆卡以及最近打印机所使用的DRAM记忆卡。
Type 2:5.5mm的厚度,通常设计为笔记计算机所使用的调制解调器接口(Modem)。
Type 3:10.5mm的厚度,被运用为连接硬盘的ATA接口。
Type 4:小型的PCMCIA卡,大部用于数字相机。
FLASH:Flash内存比较像是一种储存装置,因为当电源关掉后储存在Flash内存中的资料并不会流失掉,在写入资料时必须先将原本的资料清除掉,然后才能再写入新的资料,缺点为写入资料的速度太慢。
重新标示过的内存模块(Remark Memory Module):在内存市场许多商家都会贩售重新标示过的内存模块,所谓重新标示过的内存模块就是将芯片Chip上的标示变更过,使其所显示出错误的讯息以提供商家赚取更多的利润。一般说来,业者会标示成较快的速度将( -7改成-6)或将没有厂牌的改为有厂牌的。要避免购买到这方面的产品,最佳的方法就是向好声誉的供货商来购买顶级芯片制造商产品。
内存的充电 (Refresh):主存储器是DRAM组合而成,其电容需不断充电以保持资料的正确。一般有2K与4K Refresh的分类,而2K比4K有较快速的Refresh但2K比4K耗电。
本文来自 http://www.qihang56.com 谢谢支持
Async SRAM:为异步SRAM这是一种较为旧型的SRAM,通常被用于电脑上的 Level 2 Cache上,它在运作时独立于计算机的系统时脉外。
Sync SRAM:为同步SRAM,它的工作时脉与系统是同步的。
SGRAM (Synchronous Graphics RAM):是由SDRAM再改良而成以区块Block为单位,个别地取回或修改存取的资料,减少内存整体读写的次数增加绘图控制器。
高速缓存 (Cache Ram):为一种高速度的内存是被设计用来处理运作CPU。快取记忆体是利用 SRAM 的颗粒来做内存。因连接方式不同可分为一是外接方式(External)另一种为内接方式(Internal)。外接方式是将内存放在主机板上也称为Level 1 Cache而内接方式是将内存放在CPU中称为Level 2 Cache。
PCMCIA (Personal Computer Memory Card International Association):是一种标准的卡片型扩充接口,多半用于笔记型计算机上或是其它外围产品,其种类可以分为:
Type 1:3.3mm的厚度,常作成SRAM、Flash RAM 的记忆卡以及最近打印机所使用的DRAM记忆卡。
Type 2:5.5mm的厚度,通常设计为笔记计算机所使用的调制解调器接口(Modem)。
Type 3:10.5mm的厚度,被运用为连接硬盘的ATA接口。
Type 4:小型的PCMCIA卡,大部用于数字相机。
FLASH:Flash内存比较像是一种储存装置,因为当电源关掉后储存在Flash内存中的资料并不会流失掉,在写入资料时必须先将原本的资料清除掉,然后才能再写入新的资料,缺点为写入资料的速度太慢。
重新标示过的内存模块(Remark Memory Module):在内存市场许多商家都会贩售重新标示过的内存模块,所谓重新标示过的内存模块就是将芯片Chip上的标示变更过,使其所显示出错误的讯息以提供商家赚取更多的利润。一般说来,业者会标示成较快的速度将( -7改成-6)或将没有厂牌的改为有厂牌的。要避免购买到这方面的产品,最佳的方法就是向好声誉的供货商来购买顶级芯片制造商产品。
内存的充电 (Refresh):主存储器是DRAM组合而成,其电容需不断充电以保持资料的正确。一般有2K与4K Refresh的分类,而2K比4K有较快速的Refresh但2K比4K耗电。
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